Аннотации:
Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света были
исследованы профили рамановских спектров в монокристаллическом карбиде кремния, а так
же в поликристаллических нитридах кремния и алюминия, облученные ионами Bi с
энергиями 670 МэВ и 710 МэВ. Полученный результат свидетельствует о низком уровне
остаточных механических напряжений в приповерхностном слое монокристалла 4H-SiC, а
так же подтверждает высокую радиационную стойкость монокристалла 4H-SiC и нитрида
алюминия (AlN), в сравнении с поликристаллическим нитридом кремния (β-Si3N4). Данный
эффект объясняется разной структурной чувствительностью керамик к воздействию
облучения тяжелыми ионами – образованием аморфных треков в β-Si3N4 и их отсутствием в
поликристаллическом AlN и в монокристалле 4H-SiC.
