Репозиторий Dspace

Изучение применимости модели неупругого термического пика для описания механизма трекообразования в Si3N4

Показать сокращенную информацию

dc.contributor.author Ибраева, А.Д.
dc.date.accessioned 2023-08-14T11:39:15Z
dc.date.available 2023-08-14T11:39:15Z
dc.date.issued 2019
dc.identifier.issn 2616-6836
dc.identifier.uri http://rep.enu.kz/handle/enu/4804
dc.description.abstract Настоящая работа посвящена изучению применимости модели неупругого термического пика для описания процесса трекообразования в нитриде кремния, облученном высокоэнергетическими тяжелыми ионами. Проведено моделирование взаимодействия налетающих ионов и атомов материала с помощью программы i-TS с использованием трех коэффициентов электрон - фононного взаимодействия λ =3, 4,3 и 4,8 нм. Показано, что экспериментальные значения размеров треков сильно отличаются от теоретических как для кристаллического, так и для аморфного Si 3 N 4 , что говорит о неприменимости данного подхода для описания экспериментальных результатов в нитриде кремния. ru
dc.language.iso other ru
dc.publisher ЕНУ им. Л.Н. Гумилева ru
dc.subject инертная матрица ru
dc.subject быстрые тяжелые ионы ru
dc.subject нитрид кремния ru
dc.subject трекообразование ru
dc.subject просвечивающая электронная микроскопия ru
dc.subject модель неупругого термического пика ru
dc.subject кристаллическая и аморфная структура материала ru
dc.subject электрон-фононное взаимодействие ru
dc.title Изучение применимости модели неупругого термического пика для описания механизма трекообразования в Si3N4 ru
dc.type Article ru


Файлы в этом документе

Данный элемент включен в следующие коллекции

Показать сокращенную информацию

Поиск в DSpace


Просмотр

Моя учетная запись