К вопросу об определении порогового уровня ионизационных потерь энергии образования латентных треков в кристаллическом Si3 N4

Ибраева, А.Д.; Янсе Ван Вуурен, А.; Скуратов, В.А.; Здоровец, М.В.

dc.contributor.author	Ибраева, А.Д.
dc.contributor.author	Янсе Ван Вуурен, А.
dc.contributor.author	Скуратов, В.А.
dc.contributor.author	Здоровец, М.В.
dc.date.accessioned	2023-08-15T04:23:00Z
dc.date.available	2023-08-15T04:23:00Z
dc.date.issued	2019
dc.identifier.issn	2616-6836
dc.identifier.uri	http://rep.enu.kz/handle/enu/4827
dc.description.abstract	Настоящая работа посвящена определению порогового уровня ионизационных потерь энергии образования латентных треков Set в поликристаллическом нитриде кремния на основе анализа данных по радиационно-стимулированной аморфизации материала. Образцы Si 3 N 4 (Al) были облучены ионами Xe с энергиями 167 МэВ и 220 МэВ высокой плотности (6 × 10 14 и 2 × 10 14 см −2 соответственно). На основе ПЭМ анализа структуры этих образцов в геометрии поперечного сечения определена нижняя граница Set на уровне ˜ 6,7 кэВ/нм.	ru
dc.language.iso	other	ru
dc.publisher	ЕНУ им. Л.Н. Гумилева	ru
dc.subject	нитрид кремния	ru
dc.subject	быстрые тяжелые ионы	ru
dc.subject	латентные треки	ru
dc.subject	аморфизация	ru
dc.subject	ПЭМ	ru
dc.title	К вопросу об определении порогового уровня ионизационных потерь энергии образования латентных треков в кристаллическом Si3 N4	ru
dc.type	Article	ru