Репозиторий Dspace

К вопросу об определении порогового уровня ионизационных потерь энергии образования латентных треков в кристаллическом Si3 N4

Показать сокращенную информацию

dc.contributor.author Ибраева, А.Д.
dc.contributor.author Янсе Ван Вуурен, А.
dc.contributor.author Скуратов, В.А.
dc.contributor.author Здоровец, М.В.
dc.date.accessioned 2023-08-15T04:23:00Z
dc.date.available 2023-08-15T04:23:00Z
dc.date.issued 2019
dc.identifier.issn 2616-6836
dc.identifier.uri http://rep.enu.kz/handle/enu/4827
dc.description.abstract Настоящая работа посвящена определению порогового уровня ионизационных потерь энергии образования латентных треков Set в поликристаллическом нитриде кремния на основе анализа данных по радиационно-стимулированной аморфизации материала. Образцы Si 3 N 4 (Al) были облучены ионами Xe с энергиями 167 МэВ и 220 МэВ высокой плотности (6 × 10 14 и 2 × 10 14 см −2 соответственно). На основе ПЭМ анализа структуры этих образцов в геометрии поперечного сечения определена нижняя граница Set на уровне ˜ 6,7 кэВ/нм. ru
dc.language.iso other ru
dc.publisher ЕНУ им. Л.Н. Гумилева ru
dc.subject нитрид кремния ru
dc.subject быстрые тяжелые ионы ru
dc.subject латентные треки ru
dc.subject аморфизация ru
dc.subject ПЭМ ru
dc.title К вопросу об определении порогового уровня ионизационных потерь энергии образования латентных треков в кристаллическом Si3 N4 ru
dc.type Article ru


Файлы в этом документе

Данный элемент включен в следующие коллекции

Показать сокращенную информацию

Поиск в DSpace


Просмотр

Моя учетная запись