Влияние температуры и способов осаждения на структурные свойства нанокристаллов CdTe

Балахаева, Р.К.; Карим, К.Б.; Акилбеков, А.Т.; Баймуханов, З.К.; Гиниятова, Ш.Г.; Байжуманов, М.Ж.; Даулетбекова, А.К.

dc.contributor.author	Балахаева, Р.К.
dc.contributor.author	Карим, К.Б.
dc.contributor.author	Акилбеков, А.Т.
dc.contributor.author	Баймуханов, З.К.
dc.contributor.author	Гиниятова, Ш.Г.
dc.contributor.author	Байжуманов, М.Ж.
dc.contributor.author	Даулетбекова, А.К.
dc.date.accessioned	2023-08-15T06:18:25Z
dc.date.available	2023-08-15T06:18:25Z
dc.date.issued	2020
dc.identifier.issn	2616-6836
dc.identifier.uri	http://rep.enu.kz/handle/enu/4847
dc.description.abstract	Рассмотрено формирование нанокристаллов теллурида кадмия из сульфатного и хлоридного растворов методом электрохимического и химического осаждения в трековый темплэйт а-SiO 2 /Si-n. Установлено, что после химического осаждения в сульфатном растворе в нанопорах темплэйта образуются нанокристаллы CdTe с кубической кристаллической структурой. При увеличении температуры раствора результаты рентгеноструктурного анализа показали, что формируются нанокристаллы CdO с гексагональной структурой. Исследование вольт-амперной характеристики структуры с монофазой CdO позволило оценить количество межзеренных границ, высоту потенциального барьера и проводимость – n-типа.	ru
dc.language.iso	other	ru
dc.publisher	ЕНУ им. Л.Н. Гумилева	ru
dc.subject	нанокристаллы CdTe	ru
dc.subject	нанокристаллы CdO	ru
dc.subject	трековый темплейт SiO 2 /Si	ru
dc.subject	электрохимическое осаждение	ru
dc.subject	химическое осаждение	ru
dc.subject	межзеренные границы	ru
dc.title	Влияние температуры и способов осаждения на структурные свойства нанокристаллов CdTe	ru
dc.type	Article	ru