Abstract:
Исследована температурная зависимость высоты хиллоков на поверхности
кристаллов Ti O2 . Облучение проводилось на монокристаллическом кристалле рутила Ti O2 с
поверхностью облучения [110] с использованием ионов ксенона с энергией 220 МэВ до флюенса
5* 1010 ион/см 2
. Облучения проводились при температурах 80 К и 1000 К. Экспериментально
было обнаружено, что средняя высота хиллока увеличивается с температурой облучения.
Проведены оценки изменения высоты хиллоков в зависимости от температуры облучения в
рамках модели термического пика. Определена роль вязкости материала в формировании
хиллоков путем сравнения двух подходов, на основе закона Бернулли и уравнений НавьеСтокса.
