Abstract:
Исследованы нанокластеры ZnO, полученные электрохимическим осаждением
(ЭХО) цинка в трековом темплэйте a-SiO 2 / Si-n. Структуру SiO 2 /Si облучали на
циклотроне DC-60 ионами Xe 200 МэВ (Ф = 108 ионов/см 2
) с последующим химическим
травлением в водном растворе плавиковой кислоты (HF). Электрохимическое осаждение
(ЭХО) Zn в трековом темплэйте проводили в потенциостатическом режиме. Поверхность
образцов после осаждения исследовали с помощью сканирующего электронного микроскопа
JSM 7500F. Рентгеноструктурный анализ (РСА) проводили с использованием рентгеновского
дифрактометра D8 ADVANCE ECO. Согласно данным РСА электроосаждение цинка
в трековом темплэйте a-SiO 2 /Si-n привело к образованию нанокристаллов ZnO с
кристаллической структурой цинковой обманки (ZB) Исследованы вольт-амперные
характеристики и фотолюминесценция образцов SiO 2 /Si с нанокристаллами ZnO ZB.
Структуры спектров фотолюминесценции для ZnO ZB и ZnO WS (кристаллическая
структура - вюрцит) совпадают, но соотношение интенсивностей полос люминесценции
различно. Сравнение интенсивностей полос показало, что кислородные вакансии являются
доминирующими дефектами в полученной структуре ZnO ZB.
