Отжиг диэлектрических свойств GaAs, компенсированного облучением нейтронами

Abstract

В данной статье исследованы конденсаторы с диэлектриками из кремния и арсенида галия, облученные нейтронами. Проанализировано возможное влияние разных типов контактов (металл – полупроводник) на емкость конденсаторов. Показано, что компенсированные радиационными дефектами слои GaAs могут применяться в качестве изоляции элементов интегральных схем.