Abstract:
оксид галлия β -Ga 2 O 3 представляет собой перспективный материал в
оптоэлектронике и радиационном детектирований. Несмотря на большой спектр проведенных
исследований, важной задачей исследования является влияние и роль собственных дефектов
на электронные свойства кристалла.В данной работе приведены расчеты энергии образования
и уровни переходов зарядового состояния кислородных вакансий в кристалле β -Ga 2 O 3 с
использованием гибридного обменно-корреляционного функционала B3LYP и приближения
линейных комбинаций атомных орбиталей. Как результат, образование вакансии кислорода
в β -Ga 2 O 3 приводит к наличию глубоких донорных уровней, вследствие чего было
сделано предположение, что образование кислородных вакансийне играет существенной роли
в проводимости n-типа в кристаллах β -Ga2O3 .
