Abstract:
Настоящая работа посвящена изучению применимости модели неупругого
термического пика для описания процесса трекообразования в нитриде кремния, облученном
высокоэнергетическими тяжелыми ионами. Проведено моделирование взаимодействия
налетающих ионов и атомов материала с помощью программы i-TS с использованием трех
коэффициентов электрон - фононного взаимодействия λ =3, 4,3 и 4,8 нм. Показано, что
экспериментальные значения размеров треков сильно отличаются от теоретических как для
кристаллического, так и для аморфного Si 3 N 4 , что говорит о неприменимости данного
подхода для описания экспериментальных результатов в нитриде кремния.
