Abstract:
Рассмотрено формирование нанокристаллов теллурида кадмия из сульфатного
и хлоридного растворов методом электрохимического и химического осаждения в трековый
темплэйт а-SiO 2 /Si-n. Установлено, что после химического осаждения в сульфатном растворе
в нанопорах темплэйта образуются нанокристаллы CdTe с кубической кристаллической
структурой. При увеличении температуры раствора результаты рентгеноструктурного анализа
показали, что формируются нанокристаллы CdO с гексагональной структурой. Исследование
вольт-амперной характеристики структуры с монофазой CdO позволило оценить количество
межзеренных границ, высоту потенциального барьера и проводимость – n-типа.
